技術文章
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FM24C16B:16Kb 5V串行F-RAM存儲器的操作說明
FM24C16B是一款串行鐵電存儲器(FRAM)。其存儲陣列在邏輯上被組織為一個2,048 x 8的存儲陣列,并使用業(yè)界標準的兩線接口進行訪問。FRAM的功能操作與串行EEPROM相似。FM24C16B與具有相同引腳排列的串行EEPROM的主要區(qū)別在于其優(yōu)越的寫入性能。在數(shù)據(jù)存儲領域,F(xiàn)M24C16B提供了出色的寫入耐久性,能夠承受超過1億次的寫入循環(huán),無需擔心數(shù)據(jù)丟失或寫入失敗。這一特性使得FM24C16B非常適用于頻繁更新數(shù)據(jù)的應用...
日期:昨天 14:27閱讀:957 -
FM24C16B:16Kb 5V串行F-RAM存儲器的概述
特征■ 16K位鐵電非易失性隨機存取存儲器● 以2048 x 8位的形式組織● 高耐久性(1012)讀寫周期● 38年的數(shù)據(jù)保留期● NoDelay?寫入● 先進的高可靠性鐵電工藝■ 快速兩線串行接口● 最高總線頻率可達1MHz● EEPROM的直接硬件替換● 支持100 kHz和400 kHz的傳統(tǒng)時序■ 低功耗運行● 5V工作電壓● 100微安有效電流(100千赫)● 4 μA(典型值)待機電流■ 行業(yè)標準配置● 工業(yè)溫度范圍為-4...
日期:昨天 10:49閱讀:956 -
TMS320DM642:視頻/成像定點數(shù)字信號處理器
特性● 高性能數(shù)字媒體處理器- 指令周期時間為2納秒、1.67納秒、1.39納秒- 時鐘頻率為500兆赫、600兆赫、720兆赫- 每周期執(zhí)行八條32位指令- 4000、4800、5760百萬條指令/秒(MIPS)- 與C64x?完全軟件兼容● VelociTI.2?對VelociTI?高級超長指令字(VLIW TMS320C64x?數(shù)字信號處理(DSP)內(nèi)核的擴展- 具有VelociTI.2?擴展的八個高度獨立的功能單元:● 六個算術...
日期:2026-6-25閱讀:956 -
INA193A–INA198A系列:電流分流監(jiān)測器–共模范圍:-16V至+80V
特性? 適用于汽車應用? 寬共模電壓范圍:-16 V至+80 V? 低誤差:最高超溫3.0%? 帶寬:高達500 kHz? 提供三種轉換功能:20倍、50倍和100倍? 完整的電流檢測解決方案應用? 焊接設備? 筆記本電腦? 手機? 電信設備? 汽車? 電源管理? 電池充電器描述INA193A–INA198A系列電流分流監(jiān)測器具有電壓輸出功能,可在共模電壓為-16 V至+80 V的范圍內(nèi)檢測分流器上的電壓降,且不受INA19xA供電電壓...
日期:2026-6-25閱讀:956 -
REF31xx:最大15ppm/°C,100μA,SOT23-3系列電壓基準——REF3112, 3120, 3125, 3130, 3133, 3140
特性● 微型封裝:SOT23-3● 低壓降:5mV● 高輸出電流:±10毫安● 高精度:最大0.2%● 低智商:最大115μA● 卓越的指定漂移性能:- 在0°C至+70°C,最大為15ppm/°C- 在-40°C至+125°C的溫度范圍內(nèi),最大變化率為20ppm/°C應用● 便攜式、電池供電設備● 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)● 醫(yī)療設備● 手持式測試設備描述REF31xx系列是精密、低功耗、低壓差、串聯(lián)電壓基準,采用小巧的SOT23-3封裝。REF...
日期:2026-6-24閱讀:956 -
HIP6013:降壓型脈寬調(diào)制(PWM)控制器
特征? 驅動N溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)? 工作電壓為+5V或+12V輸入? 簡單的單環(huán)控制設計- 電壓模式PWM控制? 快速瞬態(tài)響應- 高帶寬誤差放大器- 0%至100%全占空比? 輸出電壓調(diào)節(jié)性能優(yōu)異- 1.27V內(nèi)部基準電壓- 在線電壓和溫度變化±1.5%? 過電流故障監(jiān)測器- 不需要額外的電流傳感元件- 使用MOSFET的rDS(on)? 轉換器尺寸小- 恒定頻率運行- 200kHz自激振蕩器,頻率可編程范...
日期:2026-6-23閱讀:956 -
CS4330/31/33:用于數(shù)字音頻的8引腳立體聲數(shù)模轉換器
特征?完整的立體聲DAC系統(tǒng):插值、D/A、輸出模擬濾波?18位分辨率?94 dB動態(tài)范圍?0.003%THD?低時鐘抖動靈敏度?單+3V或+5V電源?濾波線路電平輸出線性相位濾波?片上數(shù)字去重描述CS4330、CS4331和CS4333是完整的立體聲數(shù)字到模擬輸出系統(tǒng),包括插值、1位D/A轉換和輸出模擬濾波,采用8引腳封裝。這些設備在用于輸入音頻數(shù)據(jù)的串行接口格式上有所不同。CS4330、CS4331和CS4333均基于ΔΣ調(diào)制技術,...
日期:2026-6-23閱讀:956 -
CSD97395Q4M:同步降壓型 NexFET? 功率級,適用于高功率、高密度同步降壓轉換器
特征● 15A時系統(tǒng)效率超過92%● 最大額定持續(xù)電流25 A,峰值60 A● 高頻操作(高達2 MHz)● 高密度SON 3.5毫米×4.5毫米封裝● 超低電感封裝● 系統(tǒng)優(yōu)化的PCB占地面積● 超低靜態(tài)(ULQ)電流模式● 3.3 V和5 V PWM信號兼容● FCCM二極管仿真模式● 輸入電壓高達24 V● 三態(tài)PWM輸入● 集成Bootsrap二極管● 通過防護射擊● 符合RoHS標準的無鉛端子鍍層● 無鹵應用● 超極本/筆記本...
日期:2026-6-22閱讀:956 -
REF01/REF02/REF03:2.5 V、5.0 V和10.0 V精密電壓基準
特性● 輸出精度高REF01:10.0V,最大±0.3%REF02:5.0 V,最大±0.3%REF03:2.5V,最大±0.6%● 可調(diào)輸出:最小±3%● 優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性REF01:最大8.5 ppm/°CREF02:最大8.5 ppm/°CREF03:最大50 ppm/°C● 低噪聲REF01:典型值為30 μV p-pREF02:典型值為15 μV p-pREF03:典型值為6 μV p-p● 高供電電壓范圍:最高可達36伏● ...
日期:2026-6-22閱讀:956 -
INA3221:三通道、高壓側測量、分流和總線電壓監(jiān)測器,帶I2C?接口
特性● 感應總線電壓從0 V到+26 V● 報告分流和母線電壓● 高精度:- 偏移電壓:±80μV(最大)- 增益誤差:0.25%(最大值)● 可配置的平均選項● 四個可編程地址● 電源操作:2.7 V至5.5 V● 可編程警報和警告輸出應用● 計算機● 電源管理● 電信設備● 電池充電器● 電源● 測試設備描述INA3221是一款具有I2c接口的三通道高壓側電流和母線電壓監(jiān)測器。INA3221除了具有可編程的轉換時間和這些信號的平均模...
日期:2026-6-18閱讀:956 -
HS-3282:CMOS ARINC總線接口電路
特征? 符合ARINC 429規(guī)范? 數(shù)據(jù)速率100千比特或12.5千比特? 獨立的接收器和發(fā)射器部分? 雙通道獨立接收機,直接連接至ARINC總線? 串行到并行接收器數(shù)據(jù)轉換? 并行至串行發(fā)射機數(shù)據(jù)轉換? 字長為25位或32位? 接收數(shù)據(jù)的奇偶校驗狀態(tài)? 生成發(fā)射機數(shù)據(jù)的奇偶校驗? 自動詞間距計時器? 單5V供電? 低功耗? 完整的軍用溫度范圍描述HS-3282是一款高性能CMOS總線接口電路,旨在滿足ARINCSpecificati...
日期:2026-6-18閱讀:956 -
TPS653853-Q1:多軌電源,適用于安全相關應用中的微控制器
特征? 適用于汽車應用? 通過AEC-Q100認證,結果如下:– 設備溫度等級1:–40°C至+125°C環(huán)境工作溫度– 設備HBM ESD分類等級2– 設備CDM ESD分類等級C4B? 輸入電壓范圍– 初始電池上電電壓為7至36伏– 初始電池供電后,3.8至36伏電壓下可實現(xiàn)全功能運行– 喚醒后運行期間最低電壓為2.3 V? 供應軌道– 帶內(nèi)部場效應晶體管(FET)的6伏同步升降壓預調(diào)節(jié)器– 帶內(nèi)部FET的5V、200mA(CAN)...
日期:2026-6-17閱讀:955 -
TMP100/TMP101:帶I2C接口的數(shù)字溫度傳感器
特性● 數(shù)字輸出:I2C串行2線● 分辨率:9位至12位,用戶可選● 精度:○ 在-25°C至+85°C(最大)范圍內(nèi),精度為±2.0°C○ 在-55°C至+125°C(最大)范圍內(nèi),誤差為±3.0°C● 低靜態(tài)電流:45μA,待機時0.1μA● 寬供電范圍:2.7V至5.5V● TINY SOT23-6封裝應用● 電源溫度監(jiān)測● 電腦外圍設備熱保護● 筆記本電腦● 手機● 電池管理● 辦公設備● 恒溫器控制● 環(huán)境監(jiān)測與暖通空調(diào)(HV...
日期:2026-6-17閱讀:955 -
INA199Ax系列:電壓輸出,高低側測量,雙向零漂系列電流分流監(jiān)測器——INA199A1, INA199A2, INA199A3
特性● 寬共模范圍:-0.3V至26V● 偏移電壓:±150μV(最大)(可實現(xiàn)10mV滿量程的分流壓降)● 準確度- ±1.5%增益誤差(最高超溫)- 0.5μV/°C偏移漂移(最大)- 10ppm/°C增益漂移(最大)● 收益選擇:- INA199A1: 50V/V- INA199A2:100V/V- INA199A3:200V/N● 靜電流:100μA(最大)● 包裝:SC70,薄QFN-10應用● 筆記本電腦● 手機● 電信設備...
日期:2026-6-16閱讀:955 -
REG1117:800mA和1A低壓差正調(diào)節(jié)器,支持1.8V、2.5V、2.85V、3.3V、5V以及可調(diào)電壓
特性● 固定式和可調(diào)節(jié)式● SCSI-2主動終端的2.85V模型● 輸出電流:○ REG1117:最大800毫安○ REG1117A:最大1A● 輸出容差:最大±1%● 丟包電壓:○ REG1117:在IO=800mA時,最大電壓為1.2V○ REG1117A:當IO=1A時,最大電壓為1.3V● 內(nèi)部電流限制● 熱過載保護● SOT-223和DDPAK表面貼裝封裝應用● SCSI-2 主動終止● 手持式數(shù)據(jù)采集設備● 高效線性穩(wěn)壓器●...
日期:2026-6-16閱讀:955 -
PGA2500:數(shù)字控制麥克風前置放大器
特性● 全差分輸入到輸出架構● 使用串行端口接口的數(shù)字控制增益:● 增益范圍:10dB至65dB,每步1dB? 通過串行端口或專用控制引腳進行Unity(0dB)增益設置● 動態(tài)性能:? 在ZS = 150?且增益 = 30dB時的等效輸入噪聲:?128dBu● 增益為30dB時的總諧波失真加噪聲(THD+N):0.0004%● 過零檢測在增益切換時最大限度地減少了可聽到的失真● 集成直流伺服系統(tǒng)最大限度地減小了輸出偏移電壓● 共模伺服...
日期:2026-6-15閱讀:955 -
INA131:精度G=100,儀表放大器
特性● 低偏移電壓:最大50μV● 低漂移:最大0.25μV/°C● 低輸入偏置電流:最大2nA● 高共模抑制比:最小110dB● 輸入過壓保護:±40V● 寬電壓供應范圍:±2.25至±18V● 低靜態(tài)電流:3mA● 8針塑料雙列直插式封裝應用● 橋接放大器● 熱電偶放大器● 電阻式溫度檢測(RTD)傳感器放大器● 醫(yī)療器械● 數(shù)據(jù)采集描述INA131是一款低成本、通用型、增益為100的儀表放大器,具有出色的精度。其采用三運算放大器設...
日期:2026-6-15閱讀:955 -
bq29311:三節(jié)和四節(jié)鋰離子或鋰聚合物電池保護集成電路
特性● 3-或4-單元串聯(lián)保護控制● 自主過流和短路保護● 為電池管理主機提供單體電池電壓● 集成電池單體均衡控制● I2C兼容用戶界面可訪問電池信息● 用戶控制以啟動保護● 集成3.3V 25mA低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)● 可編程關機與限電控制● 為三個外部場效應晶體管(FET)提供驅動● 典型低供電電流為140 μA● 短路電流保護的可編程閾值和延時● 為三個外部場效應晶體管(FET)提供驅動● 可直接與bq2083/5接口,實現(xiàn)...
日期:2026-6-12閱讀:955 -
ISL1208:I2C實時時鐘/日歷,低功耗帶電池備份SRAM的RTC
特性? 實時時鐘/日歷- 以小時、分鐘和秒為單位追蹤時間- 星期幾、日期、月份和年份? 15個可選頻率輸出? 單個警報- 可設置為秒、分、小時、星期幾、日期或月份- 單事件或脈沖中斷模式? 自動備份至電池或超級電容器? 電源故障檢測? 片上振蕩器補償? 2字節(jié)帶電池備份的用戶SRAM? I2C接口- 400kHz數(shù)據(jù)傳輸速率? 400nA電池供電電流? 引腳輸出與ST M41Txx和Maxim DS13xx設備相同? 小包裝選項- 8種...
日期:2026-6-12閱讀:955 -
TPS54202:4.5V 至 28V 輸入、2A 輸出、EMI 友好型同步降壓轉換器
特性? 4.5V 至 28V 的寬輸入電壓范圍? 集成 148mΩ 和 78mΩ MOSFET,持續(xù)輸出電流為 2A? 關斷電流低至 2μA,靜態(tài)電流為 45μA? 內(nèi)部 5ms 軟啟動? 500kHz 固定開關頻率? 擴頻頻譜可降低 EMI? 高級 Eco-mode? 脈沖跳躍? 峰值電流模式控制? 內(nèi)部環(huán)路補償? 通過間斷模式保護為兩個 MOSFET 提供過流保護? 過壓保護? 熱關斷? SOT-23 (6) 封裝應用? 12V、2...
日期:2026-6-11閱讀:955
